理论性能远超SiC？GaN功率二极管的发展历程
2024-01-26电子发烧友网报道（文/梁浩斌）氮化镓功率器件的大规模应用，是从2018年开始的。自手机快充功能在市场上迅速普及，经过数年的发展，氮化镓HEMT器件早已被广泛应用到快速充电器等应用中。当然在此之前，氮化镓在半导体领域还是主要被用于光电领域以及射频领域。比如蓝、绿、白光LED、蓝紫光激光器等，射频领域的大功率功放管、PA、MMIC等，氮化镓都是重要材料之一。不过如果聚焦功率领域，可以发现氮化镓与碳化硅不同之处在于，碳化硅市场上有晶体管和二极管两种类型的器件，而氮化镓目前的功率产品主要是HEMT，几
垂直GaN技术新突破 新变局
2024-01-26目前，以传统半导体硅（Si）为主要材料的半导体器件仍然主导着电力电子功率元件。但现有的硅基功率技术正接近材料的理论极限，只能提供渐进式的改进，无法满足现代电子技术对耐高压、耐高温、高频率、高功率乃至抗辐照等特殊条件的需求。 因此，业界开始寻求新的半导体材料来满足行业需要，期盼突破传统硅的理论极限。 碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料因具有宽禁带、高临界击穿电场、高电子饱和漂移速度等特点，成为目前功率电子材料与器件研究的热点。 与*代、第二代半导体相比，第三代半导体材料所制备的
国产GaN迎来1700V突破！
2024-01-26前段时间，致能科技发布了1200V氮化镓器件（.点这里.），近日，他们又有新的突破。 据了解，致能科技通过与国内科研机构的研发合作，成功制造出1700V GaN HEMT器件，主要包含几个亮点： 阻断电压超过3000V； 采用1.5μm薄层缓冲层，成本更低； 采用6英寸蓝宝石衬底； 器件低导通电阻为17Ω·mm 根据2024年1月发表在《IEEE Electron Device Letters》期刊的最新文献1，致能科技团队是与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进
高性能、小体积，GaN在智能家居中开拓广阔市场
2024-01-20电子发烧友网报道（文/黄山明）随着智能家居的发展，高效高性能的小体积电源越来越被市场青睐。想要将电源体积做得更小，但同时能够保证最好的性能，氮化镓（GaN）的出现，让这一方案得以实现。在智能家居中，GaN应用主要体现在其高功率和高效率的特性上。GaN的优势作为第三代半导体，GaN具有宽的带隙和高的电子饱和迁移率，这使得它非常适合用于制作高频和高功率的电子器件。同时，其熔点高，热导率高，因此它能够承受极高的温度，化学性质稳定，不容易受到腐蚀和氧化，这使得它在高温及腐蚀环境下具有很好的稳定性和可靠
GaN巨头NexGen Power Systems破产：垂直GaN市场面临挑战
2024-01-181月16日消息，据媒体报道，美国总投资超过人民币10亿元的GaN企业NexGen Power Systems已于近日破产倒闭，旗下总投资超过1亿美元的晶圆厂也已关闭。据披露，倒闭的原因是难以获得风险融资，公司运营已经举步维艰。 资料显示，NexGen成立于2017年，总部位于美国加利福尼亚州圣克拉拉，是一家专注开发垂直GaN on GaN器件的企业，在美国纽约州拥有66000 平方英尺GaN FAB1工厂，拥有20000平方英尺洁净室，用于 GaN 外延生长、材料表征、器件设计和加工等。 Ne
GaN微纳结构及其光电子器件研究
2024-01-16氮化物半导体具有宽禁带、可调，高光电转化效率等优点，在紫外传感器，功率器件，射频电子器件，LED照明、显示、深紫外杀菌消毒、激光器、存储等领域具有广阔的应用前景，被认为是有前途的发光材料。GaN作为一种性能优越的宽禁带半导体材料，它在紫外探测领域有着重要的研究意义和应用价值。GaN微纳结构与体材料相比拥有更大的比表面积，较低的载流子散射，不仅有利于研究紫外探测物理机制，也是制备低维、高性能紫外探测器的理想结构。 在近期召开的第九届国际第三代半导体论坛（IFWS）第二十届中国国际半导体照明论坛（
GaN新技术可使散热能力提高2倍以上
2024-01-16近期，大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底，制作出了氮化镓（GaN）晶体管，其散热性能是使用碳化硅（SiC）衬底制造相同形状晶体管的两倍以上，有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域，该研究成果已发表在“Small”杂志上。 随着半导体技术不断发展，功率密度和散热等问题日益凸显，业界试图通过新一代材料解决上述问题。 据悉，金刚石具备极强的导热性能，氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性，居于上述特性，以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。 在最新研究中，大阪公
GaN加速商业化进程 国内GaN产业市场现状及前景分析
2024-01-05一、氮化镓的特性 氮化镓（GaN）是一种由氮和镓组成的半导体材料，因其禁带宽度大于2.2eV，故又称为宽禁带半导体材料。是微波功率晶体管的优良材料，也是在蓝色发光器件中具有重要应用价值的半导体。。GaN材料的研究和应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是发展微电子器件和光电子器件的新型半导体材料。 二、氮化镓行业市场现状分析 据统计，在GaN电力电子方面，到2020年，转换为6英寸的GaN-on-Si外延晶圆的生产能力约为每年28万件，转换为6英寸的GaN-on-Si器件/模块的生产能力约为每
分析 丨GaN功率器件格局持续变化，重点关注这两家厂商
2024-01-05机构Yole数据显示，2022年GaN功率器件在总功率半导体（功率芯片、功率分立器件和模块）市场中的占比仅为0.3%。尽管GaN功率率器件的复合年增长率很高（59%），Yole预计到2027年，GaN器件将达到整个功率半导体市场的2.7%，市场规模仅为20.36亿美元。 图注：GaN市场预测（芯查查制表，数据来源：Yole）作为第三代半导体材料，GaN被看好是因为其具有比硅更佳的电气特性，另一个关键点是成本在逐步降低，市场趋势表明，GaN器件将在成本上与MOSFET相媲美。新能源、数据中心是G
深入了解 GaN 技术
2024-01-05本章将深入探讨氮化镓 (GaN) 技术 ：其属性、优点、不同制造工艺以及最新进展。这种更深入的探讨有助于我们了解 ：为什么 GaN 能够在当今这个技术驱动的环境下发挥越来越重要的作用。 GaN ：可靠的技术 GaN 是一项久经考验的化合物半导体技术。自 20 世纪 80 年代以来，化合物半导体一直都是高性能应用中的主导微波集成电路 (IC) 技术。这是因为与简单的硅基半导体器件相比，它们可实现卓越的速度和功率组合。 化合物半导体由元素周期表中的两个或两个以上不同元素族组成，而简单的半导体器件则