GaN才是高能效、高频电源设计的首选
2024-11-02GaN有好些通性优势，揽括远出乎硅的电子迁移率(3.4eV相对而言1.1eV)，这使其所有比硅高1000倍的电子输导频率的潜力。值得注意的是，GaN的门极电荷(QG)较低，而且是因为须要在每个开关周期内对其展开填空，为此GaN亦可以落得1 MHz的效率坐班，频率不会回落，而硅则难以达到100 kHz如上。除此以外，与硅不同，GaN从未体二极管，其在AlGaN / GaN边界外部的2DEG方可沿反是自由化传导电流(誉为“第三象限”操作)。故而，GaN没有反向恢复电荷(QRR)，使其非常适合硬开关
GaN Systems IMS评估平台在贸泽开售
2024-10-17专注于新产品引入 (NPI) 并提供极丰富产品类型的业界顶级半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始供货GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB绝缘金属基板 (IMS) 评估平台。IMS评估平台价格亲民，对于汽车、消费电子、工业和服务器或数据中心应用中的功率系统而言，能够改善热传导性能、提高功率密度并降低系统成本。 贸泽电子备货的这款GaN Systems GSP65RxxHB-EVB IMS评估平台包含一个GSP65MB-EVB 主板和
5G加把劲 GaN RF市场规模2023年达13亿美元
2024-10-08过去几年中，射频氮化镓(GaN)市场成长趋势引人注目，根据市调机构Yole Développement(Yole)在其最新研究报告中指出，截至2017年，射频氮化镓市场规模已近3.8亿美元。 展望未来，电信和国防将成为该产业的应用主流，由于5G网络的迅速崛起，自2018年起，电信市场将为氮化镓组件带来巨大的发展契机。Yole认为，5G网络将推动氮化镓组件市场的发展。 到2023年，射频氮化镓的市场规模将大幅扩张3.4倍达13亿美元，2017~2023的年复合平均成长率CAGR为22.9%。 Y
为什么选择GaN晶体管？MASTERGAN1给你一个答案
2024-09-15ST发布了市场首个也是唯一的单封装集成600 V栅极驱动器和两个加强版氮化镓（GaN）晶体管的MASTERGAN1。同类竞品只提供一颗GaN晶体管，而ST决定增加一颗GaN，实现半桥配置，并允许将MASTERGAN1用于新拓扑。在设计AC-DC变换系统时，工程师可以将其用于LLC谐振变换器。新器件还将适用于其它常见的高能效和高端拓扑，例如，有源钳位反激或正激变换器，还解决了更高额定功率和图腾柱PFC的设计问题。 新器件具有高度象征意义，因为它让GaN晶体管在大众化的产品中普及变得更容易。电信设
Power Integrations交付第100万颗GaN切换开关IC
2024-07-26Power Integrations宣布推出其第100万颗 InnoSwitch3 切换开关IC，该产品采用了公司的PowiGaN氮化镓技术。在Anker Innovations深圳总部的一次活动中，Power Integrations执行长Balu Balakrishnan向Anker执行长Steven Yang展现了第100万颗基于GaN的切换开关IC。Anker是充电器和转换器的抢先制造商，为全球批发商提供了功用强大的小型USB PD转换器，以及适用于膝上型计算机、智能型行动安装、机上盒
GaN磊晶与晶圆代工销售市场
2024-06-23依据DIGITIMESResearch投资分析师简琮训观查，5G、电瓶车、开关电源设备等运用对具高频率、高功率特点的第三代半导体器件氮化镓(GaN)产业链，将挹注成才机械能，且全产业链职责分工趋势渐清楚，IDM(融合部件生产制造企业)已不称霸销售市场，针对已积极主动跑位GaN磊晶与晶圆代工阶段的中国台湾从业者来讲，是获得订单信息的优良机遇，但Wolfspeed与Qorvo等亦出示晶圆代工服务项目的IDM从业者仍产生威协。 尽管GaN远比硅市场容量小，但诸多商业服务运用正迅速渗入，因硅部件与砷化
吴越半导体GaN晶体出片，全球首例！
2024-05-3012月15日，吴越半导体GaN晶体出片仪式在江苏无锡高新区举行。 无锡吴越半导体有限公司成立于2019年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破1厘米的氮化镓晶体。 2020年2月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施2-6英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。 仪式上，吴越半导体还与君联资本、新
总投资12.25亿，东科半导体GaN项目新厂房揭牌投用
2024-04-127月19日消息，据“皖江在线”报道，东科半导体GaN项目新厂区于近日正式揭牌投用！这一消息引起了广泛关注，进一步证明了东科半导体在氮化镓（GaN）领域的领先地位。 据了解，新厂区占地52亩，新建厂房面积达到5.1万平方米。这里将成为东科半导体的重要生产基地，主要研发、生产和销售氮化镓超高频AC/DC电源管理芯片以及氮化镓应用模组封装线。新厂区的投入使用，将为公司带来更大的生产能力，预计每年可实现销售收入10亿元。 这一项目的建设历程充满了挑战和成果。据“行家说三代半”此前报道，该项目于2020
总投资超10亿!美GaN晶圆厂宣布破产倒闭
2024-03-201月18日，根据报道，NexGen一直在努力生产氮化镓芯片，但最近由于无法说服风险投资人继续维持公司的运营，这家总投资超过1亿美元的工厂已经关闭，工厂空置，工人们在圣诞节前被解雇。 NexGen成立于2017年，是一家专注于开发垂直GaN on GaN器件的企业。他们在美国纽约州拥有一个66000平方英尺的GaN FAB1工厂，拥有20000平方英尺的洁净室，以及用于GaN外延生长、材料表征、器件设计和加工、电气表征、可靠性测试和产品开发的先进工具。 尽管在2023年7月，NexGen宣布与通
美国一家GaN晶圆厂倒闭，总投资超过10亿人民币！
2024-01-30近日，美国一家GaN企业宣布破产倒闭，该企业还有一个晶圆厂，总投资超过10亿人民币，而且该企业此前还宣布他们的GaN器件即将上主驱，倒闭原因是什么？ 据外媒1月4日消息，NexGen Power Systems已在2023年圣诞节前夕倒闭。 报道称，NexGen总投资超过1亿美元的工厂已经关闭，工厂空置，工人已经在圣诞节前被解雇。 据了解，NexGen此前一直在“举步维艰”中生产氮化镓芯片，最近因无法说服风险投资人继续维持公司的运营，最终他们以无法获得新的风险融资为由终止了公司的运营，在圣诞节